目前多肽合成的技術已經很成熟，但是在多肽合成過程中有時會發生DG重排或者天冬氨酸酰胺化，導致雜質峰離目標峰很貼近，而很難純化甚至無法分離。從而導致產率降低，為解決此類問題，今天介紹一種Asp的側鏈保護基，氰基亞硫酰基，簡稱CYS。此類方法可有效的減少DG重排和Asp酰胺化導致的雜質，大大提高合成，純化效率。后面關于DG重排和Asp酰胺化等類似副反應，統稱為D酰胺化。
一和二為目前常用策略，三為今天推薦的保護基策略。
一、側鏈叔丁氧基
簡稱OtBu,氨基酸縮寫Asp(OtBu)
在一些特殊序列中，此類方法容易發生消旋和產生雜質，如下圖所示
二、二肽結構單元
如使用Fmoc-Asp(OtBu)-(Dmb)Gly-OH和Fmoc-Asp(OtBu)-(Hmb)Gly-OH
Dmb：二甲氧基芐基
Hmb：2-羥基-4-甲氧基-芐基
此類方案確實可以減少D酰胺化的幾率，（通常添加HOBT或其它添加劑來進一步降低副反應幾率），不過偶聯效率很低，必須以二肽為單元結構進行偶聯。且不能非常有效的阻止D酰胺化這一副反應。
三、氰基亞硫酰基(CYS)
1，氰基亞硫酰基的形成
2，氰基亞硫酰基的去除
3，效果對比展示
4，實例展示(CSY保護基團運用于替度魯肽的合成)
